SemiHow MOSFET性能特點(diǎn)及技術(shù)優(yōu)勢(shì)

核心性能優(yōu)勢(shì)

• 超結(jié)技術(shù)提升效率：采用多層外延工藝，相比傳統(tǒng)溝槽工藝，EMI（電磁干擾）控制更優(yōu)，抗沖擊能力強(qiáng)，適用于高壓高頻場(chǎng)景。

• ESD保護(hù)與穩(wěn)定性：70mΩ以上型號(hào)內(nèi)置ESD保護(hù)二極管，實(shí)測(cè)ESD耐受能力可達(dá)2400V，顯著提升系統(tǒng)抗浪涌和靜電可靠性。

• 高頻開關(guān)性能：電子輻照產(chǎn)品反向恢復(fù)時(shí)間（trr）控制在200ns以內(nèi)，開關(guān)損耗低，適合高頻電源拓?fù)洌ㄈ鏟FC、LLC諧振電路）。

產(chǎn)品應(yīng)用與市場(chǎng)驗(yàn)證

• 主流客戶覆蓋：已批量供貨三星、華為、LG、飛利浦等國(guó)際品牌，應(yīng)用場(chǎng)景包括充電器、電源適配器、光伏逆變器等。

  
  

技術(shù)創(chuàng)新與封裝優(yōu)化

• 無(wú)晶圓模式靈活性：專注設(shè)計(jì)與研發(fā)，依托代工資源實(shí)現(xiàn)快速迭代，超結(jié)MOSFET覆蓋600V~900V電壓范圍，產(chǎn)能達(dá)50000片/月。

• 適配國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：封裝設(shè)計(jì)遵循IPC標(biāo)準(zhǔn)，兼容國(guó)際市場(chǎng)需求，可直接對(duì)接全球供應(yīng)鏈體系。

對(duì)比競(jìng)品的差異化亮點(diǎn)

適用場(chǎng)景推薦

1. 消費(fèi)電子電源：如三星、華為快充充電器，需兼顧效率與EMI合規(guī)。

2. 工業(yè)驅(qū)動(dòng)：電機(jī)控制器、焊接設(shè)備中的高頻逆變電路。

3. 新能源領(lǐng)域：光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換模塊。

SemiHow通過聚焦超結(jié)技術(shù)和可靠性設(shè)計(jì)，其MOSFET在中高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，尤其適合對(duì)成本敏感且要求高效穩(wěn)定的量產(chǎn)型項(xiàng)目。