平面MOS，VDMOS，即垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種重要的功率半導(dǎo)體器件。廣泛應(yīng)用于照明、充電器適配器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
2024-08-15上海維安電子有限公司的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在功率半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)了重要地位。
2024-08-15Semihow超結(jié)MOSFET通過多層外延工藝和內(nèi)置ESD保護二極管等先進技術(shù)，有效改善了EMI問題。這種器件在高壓、大功率應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，不僅提高了產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性，還滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對電磁兼容性的..
2024-08-15居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-08-09銳駿半導(dǎo)體后續(xù)封測產(chǎn)能將會以海口綜保區(qū)封測基地為主，目前正在將深圳寶安封測基地部分設(shè)備搬運過來，產(chǎn)線規(guī)劃作出戰(zhàn)略調(diào)整，這就導(dǎo)致日前網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)銳駿半導(dǎo)體停工停產(chǎn)傳言，實際上公司業(yè)務(wù)都是正常運轉(zhuǎn)。
2024-08-01三相整流橋堆內(nèi)置6顆芯片，電流檔包含15A、25A、35A、50A，電壓覆蓋600V-1600V，具有正向壓降低、反向漏電流小、浪涌能力強等特點。
2024-07-23揚杰科技3GBJ三相插件整流橋堆發(fā)布，DG15NA120，DG25NA120，DG35NA120，DG50NA120，揚杰深度IDM模式，自有晶圓設(shè)計及制造工廠，內(nèi)部封裝Photo Glass工藝芯片，三層鈍化..
2024-07-22Wi-Fi 7加速發(fā)酵 芯片業(yè)大量備貨迎旺季成長，今年下半Wi-Fi 7的整體出貨比重就會快速攀升，為營運帶來顯著的正面效應(yīng)。
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