碳化硅二極管?的供應(yīng)鏈可以分為上游、中游和下游三個主要環(huán)節(jié)。每個環(huán)節(jié)涉及不同的企業(yè)和技術(shù)，涵蓋了從原材料的提取到最終產(chǎn)品的應(yīng)用。
2024-10-24MOSFET在服務(wù)器電源中扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在高效能、低損耗、高功率密度和快速響應(yīng)的電源設(shè)計中，超結(jié)MOSFET和GaN MOSFET的應(yīng)用正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅基MOSFET。
2024-10-07超結(jié)MOS的工藝雖然復(fù)雜，但其顯著的性能提升使其在電力電子領(lǐng)域成為不可或缺的器件，特別是在需要高效率、高功率密度和低能耗的應(yīng)用場景中。
2024-10-07IGBT單管在大功率和高效率應(yīng)用中具有出色的表現(xiàn)，但在應(yīng)用中需特別關(guān)注散熱管理、開關(guān)速度控制和電磁干擾等問題。合理的電路設(shè)計和合適的保護措施可延長IGBT的使用壽命，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
2024-10-01在20W到2000W的電源設(shè)計中，不同功率等級適合使用不同的拓撲結(jié)構(gòu)。隨著功率的增大，拓撲結(jié)構(gòu)的選擇會越來越傾向于效率更高、開關(guān)器件更強的方案。拓撲選擇需要考慮功率等級、效率要求、成本、以及應(yīng)用場景中的電壓和電..
2024-09-26不同的電源拓撲結(jié)構(gòu)會使用不同的功率器件來滿足各自的電氣特性、工作效率和功率需求。下面按照主要的電源拓撲結(jié)構(gòu)，介紹常見的功率器件選擇。
2024-09-26工業(yè)電源，消費類電源不同拓撲結(jié)構(gòu)有各自的優(yōu)勢和缺點，適合的場景也各有不同，設(shè)計時需要根據(jù)實際的應(yīng)用需求、功率等級和成本等因素來選擇合適的拓撲。
2024-09-26在OBC的拓撲結(jié)構(gòu)中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉(zhuǎn)換電路，IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
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